| gamersfan | Дата: Среда, 04.Ноября.2015, 13:40 | Сообщение # 1 |
 Главный админ
Группа: Администраторы
Сообщений: 1263
Репутация: 8
Статус: Offline
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заморозит разработку технологического процесса 10 нм в этом квартале и начнёт опытное производство микросхем, используя данную технологию, следующей весной. Хотя компания едва ли будет готова начать массовое производство 10-нм систем на кристалле уже в конце следующего года, это не вызовет проблем, поскольку клиенты TSMC не заинтересованы в столь скором использовании технологии.
«Разработка технологического процесса 10 нм идёт по плану», — сказал Марк Ли (Mark Liu), президент и соисполнительный директор TSMC, в ходе телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками. «В этом квартале мы заморозим техпроцесс и начнём квалификацию технологии. Опытное производство первых продуктов для клиентов начнётся следующей весной».
Ранее в этом году TSMC продемонстрировала 300-мм кремниевую подложку с 256-Мбайт интегральными схемами памяти SRAM, обработанную с использованием 10-нм процесса изготовления полупроводников (CLN10FF). Кроме того, компания успешно произвела аттестационную модель микросхемы (validation vehicle) с четырьмя ядрами ARM Cortex-A57, межблочными соединениями и другими элементами, используя ту же технологию. Судя по всему, технологический процесс 10 нм почти готов, компании остаётся лишь зафиксировать все параметры, чтобы дать возможность клиентам завершить свои проекты.
 Микросхемы, произведённые TSMC
Технологический процесс 10 нм компании TSMC — полностью новая технология производства полупроводников, которая не использует элементов имеющихся технологий. CLN10FF продолжит использовать транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin-shaped field-effect transistors, FinFETs).
Согласно планам компании, CLN10FF увеличит плотность транзисторов в 2,1 раза (на 110  по сравнению с технологией 16 нм FinFET+ (CLN16FF+), что даст возможность производить с её помощью микросхемы невиданной сложности, с количеством транзисторов от 25 миллиардов и более. По сравнению с CLN16FF+ частотный потенциал чипов, произведённых по CLN10FF, вырастет на 20 % при постоянном энергопотреблении, а потребление энергии упадёт на 40 % при схожей сложности и тактовой частоте микросхемы.
 Производственный комплекс TSMC fab 15
«Мы говорили, что хотим дать возможность клиентам начать производить [10-нм интегральные схемы] в конце 2016 года», — сказал господин Ли. «Однако первый клиент, который есть у нас, решил пойти по осторожному пути и не стал устанавливать агрессивный план. Они установили свой график [производства] 10-нм [микросхем] в соответствии со своим перспективным планом [по выпуску продукции]. Этот план не менялся, a мы продолжаем разрабатывать технологию, чтобы изготовлять лучшие 10-нм чипы в соответствии с [их] графиком».
Судя по всему, абсолютное большинство клиентов TSMC в ближайшие годы продолжат использовать различные 16-нм технологии производства полупроводников. Флагманские микросхемы будут производиться при помощи технологии 16 нм FinFET Compact (CLN16FFC), а чипы попроще изготовляться при помощи CLN16FF+.
 Внутри производственного комплекса TSMC fab 14
Главный конкурент TSMC — Samsung Foundry — также показывала 300-мм подложку, обработанную при помощи 10-нм технологии, ранее в этом году. Согласно публично известным планам компании, Samsung намеревается начать изготовление 10-нм микросхем в конце 2016 г. GlobalFoundries разрабатывает 10-нм процесс производства полупроводников и пока не обнародовала планов по его использованию. Intel планирует начать производство 10-нм микросхем во второй половине 2017 года.
|
| |
| |
